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  CN2305  
P 沟道增强型功率MOSFET
产品简介
 
概述:
CN2305采用先进工艺,提供较低的导通电阻,低栅极电荷和低工作电压,栅极电压可低至2.5V。CN2305适合用于电池保护,
或PWM开关中的应用。
 
应用:
电池保护    
负载开关    
电源管理    
 
特点:
VDS = -20V,ID = -4.1A
  RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-2.5V
  RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=-4.5V
较高的功率和电流处理能力
3 管脚SOT23 封装
产品无铅,满足rohs,不含卤素
   
   
   
   
   
   
   
   
 
 
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
 
 
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